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Infineon Technologies BSO615CGHUMA1
- MFG-Teilenummer
- BSO615CGHUMA1
- verfügbare Anzahl
- 91250 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.365784
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Infineon Technologies
- Kurze Beschreibung
- SIPMOS® MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- BSO615CGHUMA1.pdf
BSO615CGHUMA1 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | BSO615CGHUMA1 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-BSO615CGHUMA1 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | SIPMOS® |
| BSO615CGHUMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N and P-Channel |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3.1A, 2A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 20µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 22.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 380pF @ 25V |
| Leistung max | 2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSO615CGHUMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | BSO615CGHUMA1-FT |
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