Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / BSS131H6327XTSA1
Herstellerteilenummer | BSS131H6327XTSA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSS131H6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | SIPMOS® |
BSS131H6327XTSA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 240V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 110mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 100mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 56µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 77pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 360mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSS131H6327XTSA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSS131H6327XTSA1-FT |
SI2365EDS-T1-GE3
Vishay Siliconix
BSS214NH6327XTSA1
Infineon Technologies
SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix
NDS331N
ON Semiconductor
FDV302P
ON Semiconductor
NDS355AN
ON Semiconductor
2N7002E-T1-E3
Vishay Siliconix
FDN340P
ON Semiconductor
FDV303N
ON Semiconductor
NDS352AP
ON Semiconductor
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel