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Herstellerteilenummer | BSZ120P03NS3EGATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ120P03NS3EGATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ120P03NS3EGATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3360pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ120P03NS3EGATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ120P03NS3EGATMA1-FT |
BSC040N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03LSGATMA1
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LFEC3E-4T144C
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A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
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XCS40-4BG256C
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XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
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LFXP2-8E-6FTN256I
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LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
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