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Herstellerteilenummer | BSZ120P03NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ120P03NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ120P03NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 11A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 73µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 45nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3360pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 52W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ120P03NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ120P03NS3GATMA1-FT |
BSC042N03LSGATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03MSGATMA1
Infineon Technologies
BSC042N03S G
Infineon Technologies
BSC042N03ST
Infineon Technologies
BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC046N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC046N10NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC047N08NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC048N025S G
Infineon Technologies
BSC0500NSIATMA1
Infineon Technologies
EP20K100ETC144-1N
Intel
LFXP3C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S100-5PQ208I
Xilinx Inc.
A3PE600-PQG208
Microsemi Corporation
10AX027E4F29I3SG
Intel
5SEE9H40C2LN
Intel
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP15C-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-6LFN672C
Lattice Semiconductor Corporation