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Infineon Technologies BSZ12DN20NS3GATMA1

Name: BSZ12DN20NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSZ12DN20NS3GATMA1
Price: 0.417832 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (806 reviews)

MFG-Teilenummer: BSZ12DN20NS3GATMA1

verfügbare Anzahl: 87820 Stücke

Referenzpreis: USD 0.417832

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: BSZ12DN20NS3GATMA1.pdf

BSZ12DN20NS3GATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	BSZ12DN20NS3GATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-BSZ12DN20NS3GATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	OptiMOS™
BSZ12DN20NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11.3A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	125 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 25µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	8.7nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	680pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	50W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TSDSON-8
Paket / fall	8-PowerTDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSZ12DN20NS3GATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	BSZ12DN20NS3GATMA1-FT

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