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Herstellerteilenummer | BSZ160N10NS3GATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BSZ160N10NS3GATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | OptiMOS™ |
BSZ160N10NS3GATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Ta), 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 12µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.1W (Ta), 63W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Paket / fall | 8-PowerTDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSZ160N10NS3GATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BSZ160N10NS3GATMA1-FT |
BSC042NE7NS3GATMA1
Infineon Technologies
BSC046N02KSGAUMA1
Infineon Technologies
BSC046N10NS3GATMA1
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BSC047N08NS3GATMA1
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BSC0502NSIATMA1
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Infineon Technologies
BSC0504NSIATMA1
Infineon Technologies
EX128-TQ100
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XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
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A3P1000-PQ208
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A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
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10AX016C3U19I2LG
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