Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / BYS12-90-M3/TR
Herstellerteilenummer | BYS12-90-M3/TR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BYS12-90-M3/TR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
BYS12-90-M3/TR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 90V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 1.5A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 750mV @ 1A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 90V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-214AC, SMA |
Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYS12-90-M3/TR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BYS12-90-M3/TR-FT |
BYG10J-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10K-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10M-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel