Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Zener - Single / BZD27C11P-HE3-08
Herstellerteilenummer | BZD27C11P-HE3-08 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-BZD27C11P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C11P-HE3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 11V |
Toleranz | - |
Leistung max | 800mW |
Impedanz (max.) (Zzt) | 7 Ohms |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 4µA @ 8.2V |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 175°C |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | DO-219AB |
Supplier Device Package | DO-219AB (SMF) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C11P-HE3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | BZD27C11P-HE3-08-FT |
BZD27B4V7P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation