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Herstellerteilenummer | CB2012T100MR |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2012T100MR |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2012T100MR Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 520mA |
Strom - Sättigung | 200mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 32MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T100MR Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2012T100MR-FT |
LBM2016T150JV
Taiyo Yuden
LBM2016T180J
Taiyo Yuden
LBM2016T180JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R0JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R2J
Taiyo Yuden
LBM2016T1R2JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R5JV
Taiyo Yuden
LBM2016T1R8JV
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LBM2016T220J
Taiyo Yuden
LBM2016T220JV
Taiyo Yuden
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation