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Herstellerteilenummer | CB2012T6R8M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CB2012T6R8M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CB |
CB2012T6R8M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 6.8µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 540mA |
Strom - Sättigung | 250mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 611 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 38MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0805 (2012 Metric) |
Supplier Device Package | 0805 (2012 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.057" (1.45mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T6R8M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CB2012T6R8M-FT |
HK21252N7S-T
Taiyo Yuden
LK2125R12K-T
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CB2012T100KRV
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CB2012T100MR
Taiyo Yuden
CB2012T101K
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CB2012T2R2MV
Taiyo Yuden
CBC2012T220M
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HK2125R33J-T
Taiyo Yuden
HK2125R39J-T
Taiyo Yuden
HK2125R47J-T
Taiyo Yuden
XCV50E-6FG256I
Xilinx Inc.
A3PE600-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-1FB484C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-1FF1761I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34E3SG
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K300EQC208-2
Intel