Zuhause / Produkte / Induktoren, Spulen, Drosseln / Festinduktoren / CIGW201610GH1R5MLE
Herstellerteilenummer | CIGW201610GH1R5MLE |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-CIGW201610GH1R5MLE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGW |
CIGW201610GH1R5MLE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 1.5µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 2.1A |
Strom - Sättigung | 3.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 85 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GH1R5MLE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGW201610GH1R5MLE-FT |
CIG22E1R0MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22ER47MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel