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Herstellerteilenummer | CIGW201610GH2R2MLE |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CIGW201610GH2R2MLE |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CIGW |
CIGW201610GH2R2MLE Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Metal Composite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 1.8A |
Strom - Sättigung | 2.8A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 117 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 0806 (2016 Metric) |
Supplier Device Package | 0806 (2016 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.039" (1.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GH2R2MLE Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CIGW201610GH2R2MLE-FT |
CIG22E1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22E4R7MNE
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CIG22ER47MNE
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CIG22H1R2MAE
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CIG22H1R2MNE
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CIG22H1R5MAE
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CIG22H1R5MNE
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CIG22H2R2MNE
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel