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Herstellerteilenummer | CY62157H30-45BVXAT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-CY62157H30-45BVXAT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | MoBL® |
CY62157H30-45BVXAT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Speichertyp | Volatile |
Speicherformat | SRAM |
Technologie | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße | 8Mb (512K x 16) |
Taktfrequenz | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 45ns |
Zugriffszeit | 45ns |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannungsversorgung | 2.2V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 48-VFBGA |
Supplier Device Package | 48-VFBGA (6x8) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY62157H30-45BVXAT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | CY62157H30-45BVXAT-FT |
DS1230AB-200+
Maxim Integrated
DS1225AB-150IND+
Maxim Integrated
DS1230Y-150+
Maxim Integrated
DS1230W-150+
Maxim Integrated
DS1230Y-85+
Maxim Integrated
DS1225AB-85+
Maxim Integrated
DS1225AD-70+
Maxim Integrated
DS1225Y-200IND+
Maxim Integrated
DS1230AB-70+
Maxim Integrated
DS1225AB-200IND+
Maxim Integrated
EPF10K10TC144-4
Intel
A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel