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Herstellerteilenummer | DMG1012T-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMG1012T-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DMG1012T-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 630mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.74nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±6V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60.67pF @ 16V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 280mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-523 |
Paket / fall | SOT-523 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMG1012T-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMG1012T-7-FT |
CPC3708ZTR
IXYS Integrated Circuits Division
FDT434P
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FDT461N
ON Semiconductor
FDT55AN06LA0
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FQT4N20TF
ON Semiconductor
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10AX032E4F27I3SG
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XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
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LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
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