Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / UMB9NTN
Herstellerteilenummer | UMB9NTN |
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Zukünftige Teilenummer | FT-UMB9NTN |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
UMB9NTN Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Supplier Device Package | UMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMB9NTN Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | UMB9NTN-FT |
RN4986(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN4988(T5L,F,T)
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