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Diodes Incorporated DMN3900UFA-7B

MFG-Teilenummer
DMN3900UFA-7B
verfügbare Anzahl
24860 Stücke
Referenzpreis
USD 0.089752
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Diodes Incorporated
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 30V 0.55A DMN3900
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
DMN3900UFA-7B.pdf
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DMN3900UFA-7B Spezifikationen

Herstellerteilenummer DMN3900UFA-7B
Zukünftige Teilenummer FT-DMN3900UFA-7B
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
DMN3900UFA-7B Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 550mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 760 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 42.2pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 390mW (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package X2-DFN0806-3
Paket / fall 3-XFDFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN3900UFA-7B Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer DMN3900UFA-7B-FT

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