Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMN3009SFGQ-7
Herstellerteilenummer | DMN3009SFGQ-7 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DMN3009SFGQ-7 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
DMN3009SFGQ-7 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta), 45A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2nF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 900mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PowerDI3333-8 |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3009SFGQ-7 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DMN3009SFGQ-7-FT |
DMN3016LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-7
Diodes Incorporated
DMP2066UFDE-7
Diodes Incorporated
DMN10H170SFDE-13
Diodes Incorporated
DMN2011UFDE-13
Diodes Incorporated
DMN3016LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-13
Diodes Incorporated
DMN30H4D0LFDE-7
Diodes Incorporated
DMN4020LFDE-13
Diodes Incorporated
DMP2021UFDE-7
Diodes Incorporated
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
A42MX24-2PQ208I
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-1VQ100
Microsemi Corporation
10CL016YU256I7G
Intel
EP3C10F256I7
Intel
LCMXO2-7000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K1F35E1SG
Intel
EP2AGX65CU17C4
Intel