Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / DMNH10H028SPSQ-13
Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13
- MFG-Teilenummer
- DMNH10H028SPSQ-13
- verfügbare Anzahl
- 38940 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.842496
- Unser Preis
- Wir haben einen großen Rabatt, bitte kontaktieren Sie uns
- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Diodes Incorporated
- Kurze Beschreibung
- - MOSFET N-CH 100V 40A POWERDI506
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- DMNH10H028SPSQ-13.pdf
DMNH10H028SPSQ-13 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | DMNH10H028SPSQ-13 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-DMNH10H028SPSQ-13 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| DMNH10H028SPSQ-13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2245pF @ 50V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1.6W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PowerDI5060-8 |
| Paket / fall | 8-PowerTDFN |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| DMNH10H028SPSQ-13 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | DMNH10H028SPSQ-13-FT |
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