Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQPF9N25CYDTU
Herstellerteilenummer | FQPF9N25CYDTU |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQPF9N25CYDTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQPF9N25CYDTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 250V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8.8A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 38W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220F-3 (Y-Forming) |
Paket / fall | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQPF9N25CYDTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQPF9N25CYDTU-FT |
FQI9N08LTU
ON Semiconductor
FQI9N08TU
ON Semiconductor
FQI9N15TU
ON Semiconductor
FQI9N25CTU
ON Semiconductor
FQI9N50CTU
ON Semiconductor
FQI9N50TU
ON Semiconductor
FQD10N20LTM
ON Semiconductor
FQD17N08LTM
ON Semiconductor
FQD10N20LTF
ON Semiconductor
FQD17N08LTF
ON Semiconductor
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel