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Diodes Incorporated DMT6009LFG-7

Name: DMT6009LFG-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT6009LFG-7
Price: 0.4176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (454 reviews)

MFG-Teilenummer: DMT6009LFG-7

verfügbare Anzahl: 58550 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET N-CH 60V 11A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMT6009LFG-7.pdf

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DMT6009LFG-7 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMT6009LFG-7
Zukünftige Teilenummer	FT-DMT6009LFG-7
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMT6009LFG-7 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	11A (Ta), 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PowerDI3333-8
Paket / fall	8-PowerWDFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT6009LFG-7 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMT6009LFG-7-FT

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