EPC EPC2012
- MFG-Teilenummer
- EPC2012
- verfügbare Anzahl
- 63880 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- EPC
- Kurze Beschreibung
- eGaN® GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- EPC2012.pdf
EPC2012 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | EPC2012 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2012 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | eGaN® |
| EPC2012 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 3A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 3A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.8nC @ 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 145pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Supplier Device Package | Die |
| Paket / fall | Die |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EPC2012 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | EPC2012-FT |
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