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EPC EPC2012

Name: EPC2012
Brand: EPC
SKU: EPC2012
Availability: InStock
Rating: 5.0 (345 reviews)

MFG-Teilenummer: EPC2012

verfügbare Anzahl: 63880 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: EPC

Kurze Beschreibung: eGaN® GANFET TRANS 200V 3A BUMPED DIE

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: EPC2012.pdf

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EPC2012 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	EPC2012
Zukünftige Teilenummer	FT-EPC2012
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	eGaN®
EPC2012 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Discontinued at Future Semiconductor
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	1.8nC @ 5V
Vgs (Max)	+6V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	145pF @ 100V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 125°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	Die
Paket / fall	Die
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2012 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	EPC2012-FT

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