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Diodes Incorporated DMT69M8LSS-13

Name: DMT69M8LSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMT69M8LSS-13
Availability: InStock
Rating: 4.5 (514 reviews)

MFG-Teilenummer: DMT69M8LSS-13

verfügbare Anzahl: 13670 Stücke

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Hersteller: Diodes Incorporated

Kurze Beschreibung: - MOSFET BVDSS 41V 60VSO-8TR2

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: DMT69M8LSS-13.pdf

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DMT69M8LSS-13 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	DMT69M8LSS-13
Zukünftige Teilenummer	FT-DMT69M8LSS-13
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
DMT69M8LSS-13 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	9.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	33.5nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1925pF @ 30V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	1.25W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Paket / fall	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMT69M8LSS-13 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	DMT69M8LSS-13-FT

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