Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRA3115G0L
Herstellerteilenummer | DRA3115G0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRA3115G0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRA3115G0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | - |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 100 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 100mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SSSMini3-F2-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA3115G0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRA3115G0L-FT |
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
PDTB113EK,115
NXP USA Inc.
PDTB113ZK,115
NXP USA Inc.
PDTB123EK,115
NXP USA Inc.
PDTB123TK,115
NXP USA Inc.
PDTB123YK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,115
NXP USA Inc.
PDTC114EK,135
NXP USA Inc.
PDTC114TK,115
NXP USA Inc.
XC3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA4K2F40C3N
Intel
5SGXEB6R2F43C2LN
Intel
A54SX32A-1TQG100I
Microsemi Corporation
LFEC33E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation