Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DRC2614T0L
Herstellerteilenummer | DRC2614T0L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DRC2614T0L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DRC2614T0L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 600mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 20V |
Widerstand - Basis (R1) | 10 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 80mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1µA (ICBO) |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | Mini3-G3-B |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRC2614T0L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DRC2614T0L-FT |
BCR148E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR221E00L
Panasonic Electronic Components
BCR533E6327HTSA1
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UNR221M00L
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FJV3114RMTF
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BCR183E6327HTSA1
Infineon Technologies
UNR211V00L
Panasonic Electronic Components
BCR142E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR198E6327HTSA1
Infineon Technologies
BCR512E6327HTSA1
Infineon Technologies
A3P015-2QNG68
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XA2S100E-6TQ144Q
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LCMXO640C-3TN144C
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A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel