Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA023YMT2L
Herstellerteilenummer | DTA023YMT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA023YMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA023YMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA023YMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA023YMT2L-FT |
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
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RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
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RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
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M1A3P400-FGG484I
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MPF300TL-FCVG484E
Microsemi Corporation
A54SX16P-1VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEB5R1F40C2L
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XC7VX330T-3FFG1157E
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A42MX24-PQ160
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LCMXO2-2000HE-6FTG256C
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LFE3-150EA-6FN672C
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EP20K200RC240-1X
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5SGXMA3H2F35C3N
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