Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTA023YMT2L
Herstellerteilenummer | DTA023YMT2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTA023YMT2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTA023YMT2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | PNP - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 10 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | VMT3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA023YMT2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTA023YMT2L-FT |
RN2303(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2305(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1312(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1314(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1317(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1318(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2301,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2306,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
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XC3S50-5VQ100C
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EP3C25F256C8
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XC5VLX50T-2FFG665C
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XC7K325T-1FF900C
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M1AGL600V5-FGG144
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LFE2-20E-5F484I
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LCMXO640E-5M100C
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10AX115R4F40I3SG
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