Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespann / DTC123TM3T5G
Herstellerteilenummer | DTC123TM3T5G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-DTC123TM3T5G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
DTC123TM3T5G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | 260mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-723 |
Supplier Device Package | SOT-723 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123TM3T5G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | DTC123TM3T5G-FT |
PDTA143ZT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA143ZT,235
Nexperia USA Inc.
PDTA144ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTA144TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144VT,215
Nexperia USA Inc.
PDTA144WT,215
Nexperia USA Inc.
PDTB113ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTB114ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTB123ET,215
Nexperia USA Inc.