Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMD4T2R
Rohm Semiconductor EMD4T2R
- MFG-Teilenummer
- EMD4T2R
- verfügbare Anzahl
- 14090 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0.079968
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- Rohm Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- EMD4T2R.pdf
EMD4T2R Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | EMD4T2R |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-EMD4T2R |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| EMD4T2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
| Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) | 47 kOhms, 10 kOhms |
| Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 250µA, 5mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 150mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
| Supplier Device Package | EMT6 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| EMD4T2R Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | EMD4T2R-FT |
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