Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / EMH3T2R
Herstellerteilenummer | EMH3T2R |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-EMH3T2R |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EMH3T2R Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 4.7 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | - |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SOT-563, SOT-666 |
Supplier Device Package | EMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EMH3T2R Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EMH3T2R-FT |
RN1906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2902,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2903,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage