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EPC EPC2110ENGRT

Name: EPC2110ENGRT
Brand: EPC
SKU: EPC2110ENGRT
Price: 0.8176 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (592 reviews)

MFG-Teilenummer: EPC2110ENGRT

verfügbare Anzahl: 63270 Stücke

Referenzpreis: USD 0.8176

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Hersteller: EPC

Kurze Beschreibung: eGaN® GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: EPC2110ENGRT.pdf

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EPC2110ENGRT Spezifikationen

Herstellerteilenummer	EPC2110ENGRT
Zukünftige Teilenummer	FT-EPC2110ENGRT
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	eGaN®
EPC2110ENGRT Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 700µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	0.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	80pF @ 60V
Leistung max	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	Die
Supplier Device Package	Die
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EPC2110ENGRT Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	EPC2110ENGRT-FT

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