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Herstellerteilenummer | EPC2111ENGRT |
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Zukünftige Teilenummer | FT-EPC2111ENGRT |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
EPC2111ENGRT Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET-Funktion | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 16A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 19 mOhm @ 15A, 5V, 8 mOhm @ 15A, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 230pF @ 15V, 590pF @ 15V |
Leistung max | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Die |
Supplier Device Package | Die |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EPC2111ENGRT Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | EPC2111ENGRT-FT |
IRF3575DTRPBF
Infineon Technologies
IRFHE4250DTRPBF
Infineon Technologies
IPG20N04S4L11ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S2L35ATMA1
Infineon Technologies
IPG20N06S4L26ATMA1
Infineon Technologies
IPG15N06S3L-45
Infineon Technologies
IPG16N10S461ATMA1
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IPG20N04S408ATMA1
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IPG20N04S412ATMA1
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IPG20N04S4L07ATMA1
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A54SX32A-2PQG208I
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M1A3PE3000-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL010-1VFG400I
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EP4CGX75CF23C6N
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EP1S20F484C7N
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5SGXEA7N3F40I3LN
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10AX027E4F29I3SG
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XC6VHX565T-2FFG1923C
Xilinx Inc.
10M08SCM153C8G
Intel