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ON Semiconductor FCP190N60E
- MFG-Teilenummer
- FCP190N60E
- verfügbare Anzahl
- 79200 Stücke
- Referenzpreis
- USD 2.664
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- SuperFET® II MOSFET N-CH 600V TO220-3
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FCP190N60E.pdf
FCP190N60E Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FCP190N60E |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FCP190N60E |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | SuperFET® II |
| FCP190N60E Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20.6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 82nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3175pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 208W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FCP190N60E Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FCP190N60E-FT |
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