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ON Semiconductor FCP190N65S3R0
- MFG-Teilenummer
- FCP190N65S3R0
- verfügbare Anzahl
- 46910 Stücke
- Referenzpreis
- USD 1.141384
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- ON Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- SuperFET® III MOSFET N-CH 650V 190MOHM TO220 I
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- FCP190N65S3R0.pdf
FCP190N65S3R0 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | FCP190N65S3R0 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-FCP190N65S3R0 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | SuperFET® III |
| FCP190N65S3R0 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Active |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 17A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.7mA |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 400V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 144W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Paket / fall | TO-220-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| FCP190N65S3R0 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | FCP190N65S3R0-FT |
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