Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDH50N50-F133
Herstellerteilenummer | FDH50N50-F133 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDH50N50-F133 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UniFET™ |
FDH50N50-F133 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 48A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 137nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 625W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDH50N50-F133 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDH50N50-F133-FT |
GP1M023A050N
Global Power Technologies Group
GP2M009A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M011A090NG
Global Power Technologies Group
GP2M012A080NG
Global Power Technologies Group
GP2M020A050N
Global Power Technologies Group
GP2M020A060N
Global Power Technologies Group
GP2M023A050N
Global Power Technologies Group
GP1M003A050FG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080FH
Global Power Technologies Group
GP1M004A090FH
Global Power Technologies Group
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
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5SGXMB6R2F43C3N
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EP3SE260F1152I4N
Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation