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ON Semiconductor FDI3632

MFG-Teilenummer
FDI3632
verfügbare Anzahl
28020 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
PowerTrench® MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FDI3632 Spezifikationen

Herstellerteilenummer FDI3632
Zukünftige Teilenummer FT-FDI3632
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie PowerTrench®
FDI3632 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 12A (Ta), 80A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 310W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FDI3632 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FDI3632-FT

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