Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDV302P-NB8V001
Herstellerteilenummer | FDV302P-NB8V001 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDV302P-NB8V001 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
FDV302P-NB8V001 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Discontinued at Future Semiconductor |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 120mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.31nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | -8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 11pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 350mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDV302P-NB8V001 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDV302P-NB8V001-FT |
SQ7002K-T1-GE3
Vishay Siliconix
SI2309CDS-T1-E3
Vishay Siliconix
XP151A11B0MR-G
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XP151A12A2MR
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XP152A11E5MR-G
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2N7002-D87Z
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2N7002-E3
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2N7002E
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2N7002L6327HTSA1
Infineon Technologies
2N7002MTF
ON Semiconductor
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
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M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation