Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FDY301NZ_G
Herstellerteilenummer | FDY301NZ_G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FDY301NZ_G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | PowerTrench® |
FDY301NZ_G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 60pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 625mW (Ta) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | SC-89-3 |
Paket / fall | SC-89, SOT-490 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDY301NZ_G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FDY301NZ_G-FT |
CTLDM7002A-M621 TR
Central Semiconductor Corp
CTLDM7003-M621 BK
Central Semiconductor Corp
CTLDM7003-M621 TR
Central Semiconductor Corp
CTLDM7120-M621H BK
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CTLDM8002A-M621 BK
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CTLDM8002A-M621 TR
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CTLDM8002A-M621H BK
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CTLDM8002A-M621H TR
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CTLDM8120-M621H BK
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CTLDM8120-M621H TR
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A1010B-2VQ80I
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Intel
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Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
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Intel