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ON Semiconductor FQB4N90TM

Name: FQB4N90TM
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQB4N90TM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (256 reviews)

MFG-Teilenummer: FQB4N90TM

verfügbare Anzahl: 12600 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 900V 4.2A D2PAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQB4N90TM.pdf

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FQB4N90TM Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQB4N90TM
Zukünftige Teilenummer	FT-FQB4N90TM
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQB4N90TM Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	900V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 Ohm @ 2.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1100pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	3.13W (Ta), 140W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263AB)
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQB4N90TM Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQB4N90TM-FT

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