Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQD19N10LTM
Herstellerteilenummer | FQD19N10LTM |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQD19N10LTM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQD19N10LTM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 15.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 7.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 870pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.5W (Ta), 50W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | D-Pak |
Paket / fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQD19N10LTM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQD19N10LTM-FT |
FDD3672-F085
ON Semiconductor
FDD8878
ON Semiconductor
FDD86380-F085
ON Semiconductor
FDD6N50TM-WS
ON Semiconductor
FDD8778
ON Semiconductor
FDD6N50TM-F085
ON Semiconductor
FDD3706
ON Semiconductor
FDD8N50NZTM
ON Semiconductor
FDD9410-F085
ON Semiconductor
FDD10AN06A0-F085
ON Semiconductor
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel