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ON Semiconductor FQD2N60CTM-WS

Name: FQD2N60CTM-WS
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQD2N60CTM-WS
Price: 0.344344 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (542 reviews)

MFG-Teilenummer: FQD2N60CTM-WS

verfügbare Anzahl: 90240 Stücke

Referenzpreis: USD 0.344344

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 600V 1.9A

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQD2N60CTM-WS.pdf

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FQD2N60CTM-WS Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQD2N60CTM-WS
Zukünftige Teilenummer	FT-FQD2N60CTM-WS
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQD2N60CTM-WS Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	235pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	D-Pak
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD2N60CTM-WS Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQD2N60CTM-WS-FT

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