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ON Semiconductor FQD2N60CTM-WS

MFG-Teilenummer
FQD2N60CTM-WS
verfügbare Anzahl
90240 Stücke
Referenzpreis
USD 0.344344
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 600V 1.9A
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQD2N60CTM-WS.pdf
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FQD2N60CTM-WS Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQD2N60CTM-WS
Zukünftige Teilenummer FT-FQD2N60CTM-WS
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQD2N60CTM-WS Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 1.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package D-Pak
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQD2N60CTM-WS Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQD2N60CTM-WS-FT

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