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ON Semiconductor FQE10N20CTU

Name: FQE10N20CTU
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQE10N20CTU
Availability: InStock
Rating: 4.7 (244 reviews)

MFG-Teilenummer: FQE10N20CTU

verfügbare Anzahl: 29910 Stücke

Referenzpreis: USD 0

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: QFET® MOSFET N-CH 200V 4A TO-126

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: FQE10N20CTU.pdf

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FQE10N20CTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer	FQE10N20CTU
Zukünftige Teilenummer	FT-FQE10N20CTU
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	QFET®
FQE10N20CTU Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 10V
Vgs (Max)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	510pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	12.8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Supplier Device Package	TO-126-3
Paket / fall	TO-225AA, TO-126-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQE10N20CTU Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	FQE10N20CTU-FT

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