Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQI12N60CTU
Herstellerteilenummer | FQI12N60CTU |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-FQI12N60CTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQI12N60CTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.13W (Ta), 225W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI12N60CTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQI12N60CTU-FT |
BSS192PE6327T
Infineon Technologies
BSS192PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS192PL6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS225
Infineon Technologies
BSS225H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSS225L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSS87 E6433
Infineon Technologies
BSS87E6327
Infineon Technologies
BSS87E6327T
Infineon Technologies
BSS87H6327XTSA1
Infineon Technologies