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ON Semiconductor FQI13N06LTU

MFG-Teilenummer
FQI13N06LTU
verfügbare Anzahl
37520 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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FQI13N06LTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQI13N06LTU
Zukünftige Teilenummer FT-FQI13N06LTU
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQI13N06LTU Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 13.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 6.4nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.75W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI13N06LTU Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQI13N06LTU-FT

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