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Herstellerteilenummer | FQI13N06LTU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQI13N06LTU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQI13N06LTU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 13.6A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 6.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 45W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI13N06LTU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQI13N06LTU-FT |
BSS192PL6327HTSA1
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BSS225
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