Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / FQI7N10TU
Herstellerteilenummer | FQI7N10TU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQI7N10TU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQI7N10TU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 3.65A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Paket / fall | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQI7N10TU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQI7N10TU-FT |
IRLH5034TRPBF
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IRLH5036TR2PBF
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IRLH5036TRPBF
Infineon Technologies
HTNFET-T
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GA08JT17-247
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GA05JT12-247
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GA06JT12-247
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XCV50-6TQ144C
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LFE5UM-45F-8BG554C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V5-VQ100
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EPF10K100ABC600-1
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5SGXMA5K1F40C2LN
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XC4013E-2HQ208I
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XC2VP2-6FF672I
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CPG196C
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FGG144I
Microsemi Corporation