Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / GA08JT17-247
Herstellerteilenummer | GA08JT17-247 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GA08JT17-247 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GA08JT17-247 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) (90°C) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 250 mOhm @ 8A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 48W (Tc) |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247AB |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA08JT17-247 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GA08JT17-247-FT |
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1
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IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
IAUT165N08S5N029ATMA2
Infineon Technologies
IAUT200N08S5N023ATMA1
Infineon Technologies
IAUT240N08S5N019ATMA1
Infineon Technologies
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel