Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IRLH5036TR2PBF
Herstellerteilenummer | IRLH5036TR2PBF |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IRLH5036TR2PBF |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HEXFET® |
IRLH5036TR2PBF Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 20A (Ta), 100A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 150µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5360pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | 8-PQFN (5x6) |
Paket / fall | 8-PowerVDFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRLH5036TR2PBF Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IRLH5036TR2PBF-FT |
IPSA70R2K0P7SAKMA1
Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1
Infineon Technologies
IGT60R190D1SATMA1
Infineon Technologies
IPT015N10N5ATMA1
Infineon Technologies
IPT004N03LATMA1
Infineon Technologies
IAUT300N10S5N015ATMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R8XTMA1
Infineon Technologies
IPT012N08N5ATMA1
Infineon Technologies
IRL40T209ATMA1
Infineon Technologies
IAUT150N10S5N035ATMA1
Infineon Technologies
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
M2GL050-VFG400I
Microsemi Corporation
5SGSMD4K2F40I3LN
Intel
5SGXMABN2F45I3N
Intel
5SGXMB6R2F43C3N
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
LFEC1E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95E-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation