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ON Semiconductor FQI9N25CTU

MFG-Teilenummer
FQI9N25CTU
verfügbare Anzahl
65700 Stücke
Referenzpreis
USD 0
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
QFET® MOSFET N-CH 250V 8.8A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
FQI9N25CTU.pdf
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FQI9N25CTU Spezifikationen

Herstellerteilenummer FQI9N25CTU
Zukünftige Teilenummer FT-FQI9N25CTU
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie QFET®
FQI9N25CTU Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Obsolete
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 8.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 430 mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 710pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 3.13W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Paket / fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQI9N25CTU Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer FQI9N25CTU-FT

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