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GeneSiC Semiconductor GA10JT12-247
- MFG-Teilenummer
- GA10JT12-247
- verfügbare Anzahl
- 65570 Stücke
- Referenzpreis
- USD 0
- Unser Preis
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- Versanddatum
- Wir können heute ausliefern
- Hersteller
- GeneSiC Semiconductor
- Kurze Beschreibung
- - TRANS SJT 1.2KV 10A
- Bleifreier Status / RoHS-Status
- RoHS-konform (bleifrei)
- Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
- 1 (unbegrenzt)
- Datumscode (D / C)
- Neu
- Produktkategorie
- Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
- Lagerressource
- Franchise-Händler
- Garantie
- 360 Tage Qualitätsgarantie
- Datenblatt
- GA10JT12-247.pdf
GA10JT12-247 Spezifikationen
| Herstellerteilenummer | GA10JT12-247 |
|---|---|
| Zukünftige Teilenummer | FT-GA10JT12-247 |
| SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
| Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
| Serie | - |
| GA10JT12-247 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
| Teilestatus | Obsolete |
| FET-Typ | - |
| Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 10A |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 170W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247AB |
| Paket / fall | TO-247-3 |
| Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GA10JT12-247 Gewicht | kontaktiere uns |
| Ersatzteilnummer | GA10JT12-247-FT |
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