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Herstellerteilenummer | FQN1N60CBU |
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Zukünftige Teilenummer | FT-FQN1N60CBU |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | QFET® |
FQN1N60CBU Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 300mA (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 150mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Ta), 3W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FQN1N60CBU Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | FQN1N60CBU-FT |
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ZVN4306A
Diodes Incorporated
VN2450N3-G
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TN0606N3-G
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XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel