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Herstellerteilenummer | TN0620N3-G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-TN0620N3-G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
TN0620N3-G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 250mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 1mA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Paket / fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TN0620N3-G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | TN0620N3-G-FT |
IRF5800TRPBF
Infineon Technologies
IRF5801TRPBF
Infineon Technologies
IRF5802
Infineon Technologies
IRF5802TR
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IRF5803
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IRF5803TR
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IRF5804
Infineon Technologies
IRF5804TR
Infineon Technologies
IRF5804TRPBF
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IRF5805
Infineon Technologies
XC3164A-3TQ144C
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XC7S100-2FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG484
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A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
5SGXMB6R2F40I2LN
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EP4SGX360NF45C3N
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XC7S50-2CSGA324C
Xilinx Inc.
5CGXFC9A6U19A7N
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EP2AGX65CU17C4G
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5AGXFB1H4F35C4N
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