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Herstellerteilenummer | GA100JT17-227 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-GA100JT17-227 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
GA100JT17-227 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | - |
Technologie | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 535W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Chassis Mount |
Supplier Device Package | SOT-227 |
Paket / fall | SOT-227-4, miniBLOC |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GA100JT17-227 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | GA100JT17-227-FT |
IPLU300N04S41R1XTMA1
Infineon Technologies
IPLU300N04S4R7XTMA2
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IPT007N06NATMA1
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IPZA60R120P7XKSA1
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IPZA60R080P7XKSA1
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IPZA60R099P7XKSA1
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LFXP6E-4T144I
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XC6SLX16-N3FTG256C
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AGLE3000V5-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C7N
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10M50SCE144C8G
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LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1508C6
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EPF8282ALC84-4
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EPF10K130EQC240-3N
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